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入榜《2026年CNPPMOS管十大品牌榜中榜名錄》的有：infineon英飛凌、onsemi安森美、ST意法半導體、Toshiba東芝半導體存儲、RENESAS瑞薩、華潤微電子、士蘭微電子Silan、VISHAY威世、AOS、nexperia安世半導體。最新MOS管十大品牌排行榜由CN10排排榜技術(shù)研究部門和CNPP品牌數(shù)據(jù)研究部門共同發(fā)布，是通過專業(yè)獨立調(diào)研測評、AI人工智能、大數(shù)據(jù)、云計算、資料統(tǒng)計分析后客觀呈現(xiàn)的真實結(jié)果，不是認定認證，不是競價排名，不是表彰評選，不是評價評比，排序不分先后，僅供參考。

2026

MOS管10大品牌

infineon英飛凌

英飛凌科技(中國)有限公司
- 發(fā)源地：德國
- 成立時間：2003
- 點亮榮譽勛章：1個
成立于1999年，全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域先進的半導體科技公司，專業(yè)生產(chǎn)IGBT組件、分立器件、智能卡芯片和功率半導體產(chǎn)品等產(chǎn)品，為汽車和工業(yè)功率器件、芯片卡和安全應用提供半導體和系統(tǒng)解決方案，其產(chǎn)品...更多>>

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onsemi安森美

安森美半導體公司
- 發(fā)源地：美國
- 成立時間：
- 點亮榮譽勛章：1個
安森美（onsemi）前身摩托羅拉半導體元件部門，于1999年分拆獨立上市，于2016年收購仙童半導體（Fairchild），現(xiàn)已成為全球半導體領(lǐng)域的領(lǐng)導者，在SiC功率元件、功率半導體等領(lǐng)域具備領(lǐng)先...更多>>

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ST意法半導體

意法半導體(中國)投資有限公司
- 發(fā)源地：瑞士
- 成立時間：1988
- 點亮榮譽勛章：1個
創(chuàng)始于1988年，全球知名的半導體公司，世界較大的半導體制造商，業(yè)務涉及智慧出行、電力能源、物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，主營產(chǎn)品包括專用汽車IC、分立器件、功率晶體管、模擬器件、功率半導體、射頻器件、光學傳感器等，...更多>>

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4
Toshiba東芝半導體存儲

東芝電子元件(上海)有限公司
- 發(fā)源地：日本
- 成立時間：
- 點亮榮譽勛章：2個
Toshiba東芝半導體存儲是東芝集團旗下專注于半導體和存儲解決方案的全資子公司，主要負責東芝集團的半導體業(yè)務和存儲產(chǎn)品(HDD)業(yè)務，產(chǎn)品線分為半導體和存儲產(chǎn)品兩大系列，其半導體產(chǎn)品包括功率半導體、...更多>>

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5
RENESAS瑞薩

瑞薩電子(中國)有限公司
- 發(fā)源地：日本
- 成立時間：2003
- 點亮榮譽勛章：1個
瑞薩電子Renesas是日本知名的半導體解決方案供應商，專注于汽車電子、工業(yè)自動化和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的綜合性企業(yè)，由日立、三菱和NEC半導體業(yè)務合并而成。瑞薩擁有完整的芯片設計、制造到封測產(chǎn)業(yè)鏈，可提供微控...更多>>

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6
華潤微電子

無錫華潤微電子有限公司
- 發(fā)源地：無錫市
- 成立時間：1983
- 點亮榮譽勛章：1個
華潤集團旗下大型綜合性半導體企業(yè)，作為一家擁有芯片設計、掩模制造、晶圓制造、封裝測試等全產(chǎn)業(yè)鏈一體化運營能力的IDM半導體企業(yè)，華潤微電子在分立器件及集成電路領(lǐng)域均已具備較強的產(chǎn)品技術(shù)與制造工藝能力，...更多>>

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7
士蘭微電子Silan

杭州士蘭微電子股份有限公司
- 發(fā)源地：杭州市
- 成立時間：1997
- 點亮榮譽勛章：1個
士蘭微始于1997年，國內(nèi)領(lǐng)先的集成電路芯片設計與制造一體（IDM）的企業(yè)之一，其技術(shù)水平、營業(yè)規(guī)模、盈利能力等各項指標居于國內(nèi)同行前列，作為國內(nèi)極具規(guī)模和多產(chǎn)品技術(shù)門類的IDM企業(yè)之一，士蘭微在功率...更多>>

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8
VISHAY威世

威世(中國)投資有限公司
- 發(fā)源地：美國
- 成立時間：1962
- 點亮榮譽勛章：2個
VISHAY威世始于美國，是全球知名電子元件制造商，通過研發(fā)、制造、設計、質(zhì)量、銷售和市場營銷，提供基本元件系列產(chǎn)品，包括電阻器、?電容器、?感應器、?半導體器件和光電子元件等，廣泛應用于汽車、工業(yè)、...更多>>

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9
AOS

阿爾法和歐米伽半導體有限責任公司
- 發(fā)源地：美國
- 成立時間：2000
- 點亮榮譽勛章：2個
成立于2000年,集半導體設計/晶圓制造/封裝測試為一體的高新技術(shù)企業(yè),主要從事MOSFET/IGBT等功率半導體的研發(fā)和生產(chǎn),阿爾法和歐米伽半導體有限責任公司。更多>>

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10
nexperia安世半導體

聞泰科技股份有限公司
- 發(fā)源地：荷蘭
- 成立時間：2017
- 點亮榮譽勛章：1個
安世半導體（Nexperia）于2017年由NXP恩智浦（原飛利浦半導體）標準產(chǎn)品事業(yè)部獨立而成，現(xiàn)隸屬于聞泰科技（股票代碼：600745），是全球基礎半導體器件開發(fā)和生產(chǎn)領(lǐng)域的領(lǐng)導者，產(chǎn)品業(yè)務包括分...更多>>

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知名(著名)品牌

富士電機新潔能東微半導體捷捷微電揚杰YJ 華微電子長晶科技 LRC TI德州儀器立昂Lion OMNIVISION starpower VBsemi 富滿微FM 芯派科技 SiSEMi Convert 銳駿半導體

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本榜單文章由十大品牌網(wǎng)榜單研究員226號上傳提供 2026-02-8

知識點

mosfet管的三個極分別是什么

1、柵極G：mosfet管的柵極G是控制端，名字為gate，在G端加入高低電平即可控制mosfet管的開斷。對于NMOS而言，要求Vgs>0時，MOS管導通，否則mosfet關(guān)斷；對于PMOS而言，要求Vgs<0時，mosfet管導通，否則mosfet關(guān)斷。

2、源極S：源極，名字為Source，簡稱S。對NMOS而言，源極S是流出端，對PMOS而言，源極S是流入端。

3、漏極D：漏極，名字為Drain，簡稱D。對NMOS而言，漏極D是流入端，對PMOS而言，源極S是流出端。

標簽： MOS管電子元器件/光電器件商用/工業(yè)品

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