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入榜《2025年CNPPIGBT十大品牌榜中榜名錄》的有：infineon英飛凌、富士電機(jī)、Mitsubishi三菱、SemikronDanfoss、onsemi安森美、starpower、比亞迪半導(dǎo)體、Toshiba東芝、ST意法半導(dǎo)體、士蘭微電子Silan。最新IGBT十大品牌排行榜由CN10排排榜技術(shù)研究部門和CNPP品牌數(shù)據(jù)研究部門共同發(fā)布，是通過專業(yè)獨立調(diào)研測評、AI人工智能、大數(shù)據(jù)、云計算、資料統(tǒng)計分析后客觀呈現(xiàn)的真實結(jié)果，不是認(rèn)定認(rèn)證，不是競價排名，不是表彰評選，不是評價評比，排序不分先后，僅供參考。
2025
IGBT10大品牌

  • infineon英飛凌

    英飛凌科技(中國)有限公司
    • 發(fā)源地：德國
    • 成立時間：2003
    • 點亮榮譽(yù)勛章：0個
    成立于1999年，全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域先進(jìn)的半導(dǎo)體科技公司，專業(yè)生產(chǎn)IGBT組件、分立器件、智能卡芯片和功率半導(dǎo)體產(chǎn)品等產(chǎn)品，為汽車和工業(yè)功率器件、芯片卡和安全應(yīng)用提供半導(dǎo)體和系統(tǒng)解決方案，其產(chǎn)品...更多>>
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  • 富士電機(jī)

    富士電機(jī)(中國)有限公司
    • 發(fā)源地：日本
    • 成立時間：1923
    • 點亮榮譽(yù)勛章：1個
    富士電機(jī)始創(chuàng)于1923年，是日本一家國際性電氣設(shè)備制造商和分銷商，主要開展電力電子系統(tǒng)能源、電力電子系統(tǒng)、能源工業(yè)、電子設(shè)備、食品和飲料分銷以及發(fā)電五個領(lǐng)域業(yè)務(wù)，提供驅(qū)動控制器、不間斷電源、自動化及儀...更多>>
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  • Mitsubishi三菱

    三菱電機(jī)(中國)有限公司
    • 發(fā)源地：日本
    • 成立時間：1921
    • 點亮榮譽(yù)勛章：1個
    源自1921年日本，全球頗具影響力的多元化產(chǎn)業(yè)集團(tuán)，專注于面向樓宇、工廠、家庭等場景提供空調(diào)冷熱系統(tǒng)，電力設(shè)備，社會公共設(shè)施及企業(yè)可視化節(jié)能系統(tǒng)等業(yè)務(wù)的綜合性企業(yè)。三菱電機(jī)擁有從社會基礎(chǔ)設(shè)施到家用產(chǎn)品...更多>>
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  • 4

    SemikronDanfoss

    賽米控丹佛斯電子(珠海)有限公司
    • 發(fā)源地：德國
    • 成立時間：
    • 點亮榮譽(yù)勛章：0個
    成立于1951年德國,全球領(lǐng)先的功率模塊和系統(tǒng)制造商,主要生產(chǎn)現(xiàn)代節(jié)能型電機(jī)驅(qū)動器和工業(yè)自動化系統(tǒng)中的核心器件,賽米控丹佛斯電子(珠海)有限公司。更多>>
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  • 5

    onsemi安森美

    安森美半導(dǎo)體公司
    • 發(fā)源地：美國
    • 成立時間：
    • 點亮榮譽(yù)勛章：0個
    安森美（onsemi）前身摩托羅拉半導(dǎo)體元件部門，于1999年分拆獨立上市，于2016年收購仙童半導(dǎo)體（Fairchild），現(xiàn)已成為全球半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者，在SiC功率元件、功率半導(dǎo)體等領(lǐng)域具備領(lǐng)先...更多>>
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  • 6

    starpower

    斯達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司
    • 發(fā)源地：嘉興市
    • 成立時間：2005
    • 點亮榮譽(yù)勛章：0個
    斯達(dá)半導(dǎo)是國內(nèi)知名的功率半導(dǎo)體芯片和模塊研發(fā)及生產(chǎn)商。公司深耕IGBT技術(shù)領(lǐng)域多年，其高性能模塊在國內(nèi)市場占據(jù)了一定的市場份額，目前產(chǎn)品已被廣泛應(yīng)用于新能源、工業(yè)控制、家電及電動汽車等領(lǐng)域，有力推動了...更多>>
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  • 7

    比亞迪半導(dǎo)體

    比亞迪半導(dǎo)體股份有限公司
    • 發(fā)源地：深圳市
    • 成立時間：2004
    • 點亮榮譽(yù)勛章：0個
    成立于2004年,國內(nèi)領(lǐng)先的高效/智能/集成新型半導(dǎo)體企業(yè),主要從事功率半導(dǎo)體/智能控制IC/智能傳感器/光電半導(dǎo)體/制造及服務(wù),比亞迪半導(dǎo)體股份有限公司。更多>>
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  • 8

    Toshiba東芝

    東芝(中國)有限公司
    • 發(fā)源地：日本
    • 成立時間：1875
    • 點亮榮譽(yù)勛章：1個
    全球領(lǐng)先的機(jī)械硬盤提供商，較早將HDR的PM商業(yè)化的HDD制造商，致力于推動硬盤技術(shù)和創(chuàng)新，以滿足和超越廣泛存儲市場細(xì)分領(lǐng)域的客戶需求，主要產(chǎn)品涵蓋存儲系統(tǒng)和服務(wù)器所需的企業(yè)級HDD、監(jiān)控攝像系統(tǒng)和N...更多>>
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  • 9

    ST意法半導(dǎo)體

    意法半導(dǎo)體(中國)投資有限公司
    • 發(fā)源地：瑞士
    • 成立時間：1988
    • 點亮榮譽(yù)勛章：0個
    創(chuàng)始于1988年，全球知名的半導(dǎo)體公司，世界較大的半導(dǎo)體制造商，業(yè)務(wù)涉及智慧出行、電力能源、物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，主營產(chǎn)品包括專用汽車IC、分立器件、功率晶體管、模擬器件、功率半導(dǎo)體、射頻器件、光學(xué)傳感器等，...更多>>
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  • 10

    士蘭微電子Silan

    杭州士蘭微電子股份有限公司
    • 發(fā)源地：杭州市
    • 成立時間：1997
    • 點亮榮譽(yù)勛章：0個
    國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)知名民營企業(yè),在功率驅(qū)動/半導(dǎo)體功率器件與模塊/MCU/音視頻SOC/MEMS傳感器/LED芯片等多個技術(shù)與產(chǎn)品領(lǐng)域具有較高水平,杭州士蘭微電子股份有限公司。更多>>
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本榜單文章由 十大品牌網(wǎng)榜單研究員226號 上傳提供 2025-12-10
十大榜單聲明：十大品牌不是評選，十大品牌（品牌榜）是由CNPP品牌大數(shù)據(jù)研究院通過資料收集整理，并基于大數(shù)據(jù)統(tǒng)計及人為根據(jù)市場和參數(shù)條件變化分析研究而得出，是大數(shù)據(jù)、云計算、數(shù)據(jù)統(tǒng)計真實客觀呈現(xiàn)的結(jié)果。以企業(yè)實力、品牌榮譽(yù)、網(wǎng)絡(luò)投票、網(wǎng)民口碑打分、企業(yè)在行業(yè)內(nèi)的排名情況、企業(yè)獲得的榮譽(yù)及獎勵情況等為基礎(chǔ)，通過本站特有的計算機(jī)分析模型對廣泛的數(shù)據(jù)資源進(jìn)行采集分析研究，綜合了多家機(jī)構(gòu)媒體和網(wǎng)站排行數(shù)據(jù)，原始數(shù)據(jù)來源于信用指數(shù)以及幾十項數(shù)據(jù)統(tǒng)計計算系統(tǒng)生成的品牌企業(yè)行業(yè)大數(shù)據(jù)庫，并由研究人員綜合考慮市場和參數(shù)條件變化后最終才形成十大數(shù)據(jù)并在網(wǎng)站顯示，只有在行業(yè)出名、具有規(guī)模、影響力、經(jīng)濟(jì)實力的企業(yè)在才會被系統(tǒng)收錄并在網(wǎng)站上面展示出現(xiàn)。
知識點

1、在應(yīng)用層面根據(jù)電壓等級劃分

（1）低壓IGBT：指電壓等級在1000V以內(nèi)的IGBT器件，例如常見的650V應(yīng)用于新能源汽車、家電、工業(yè)變頻等領(lǐng)域。

（2）中壓IGBT：指電壓等級在1000-1700V區(qū)間的IGBT器件，如1200V應(yīng)用于光伏、電磁爐、家電、焊機(jī)、工業(yè)變頻器和新能源汽車領(lǐng)域，1700V應(yīng)用于光伏和風(fēng)電領(lǐng)域。

（3）高壓IGBT：指電壓等級3300V及以上的IGBT器件，比如3300V和6500V應(yīng)用于高鐵、動車、智能電網(wǎng)，以及工業(yè)電機(jī)等領(lǐng)域。

2、在產(chǎn)品層面根據(jù)封裝方式劃分

（1）IGBT單管：封裝規(guī)模較小，一般指封裝單顆IGBT芯片，電流通常在50A以下，適用于消費、工業(yè)家電領(lǐng)域。

（2）IGBT模塊：IGBT最常見的形式，是將多個IGBT芯片集成封裝在一起，功率更大、散熱能力更強(qiáng)，適用于高壓大功率平臺，如新能源車、光伏、高鐵等。

（3）功率集成（IPM）：指把IGBT模塊加上散熱器、電容等外圍組件，組成一個功能較為完整和復(fù)雜的智能功率模塊。

3、根據(jù)是否具有N 緩沖層劃分

（1）穿通IGBT：又稱PT-IGBT、非對稱IGBT，在發(fā)射極接觸處具有N 區(qū)，具有不對稱的電壓阻斷能力，即正向和反向擊穿電壓不同。非對稱IGBT的反向擊穿電壓小于其正向擊穿電壓，同時具有更快的切換速度。穿通IGBT是單向的，不能處理反向電壓。因此，它們被用于逆變器和斬波器電路等直流電路中。

（2）非穿通IGBT：又稱NPT-IGBT、對稱IGBT，它沒有由發(fā)射極接觸額外的N 區(qū)域，結(jié)構(gòu)的對稱性提供了對稱的擊穿電壓特性，即正向和反向擊穿電壓相等。由于這個原因，它們被用于交流電路。

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